
TLP5832(TP,E
Popis
Technické parametry
Ovladač brány optického vazebního členu TLP5832 TP, E je vysoce výkonné zařízení určené pro moderní elektronické systémy. Díky konfiguraci výstupu totemu poskytuje robustní rozhraní s elektronickými součástmi. Mezi pozoruhodné vlastnosti patří špičkový výstupní proud ±2,5 A, rozsah provozních teplot -40 až 110 stupňů, nízký napájecí proud 3 mA a flexibilní rozsah napájecího napětí 15 až 30 V. Účinnost ovladače je zvýrazněna prahový vstupní proud 5 mA a rychlé zpoždění šíření 200 ns. Navíc je jeho odolnost demonstrována prostřednictvím ±20 kV/μs společné přechodové odolnosti a vysokého izolačního napětí 5000 Vrms, což zajišťuje spolehlivý provoz a bezpečnost v různých aplikacích.

Související produkty:
|
Mfr díl |
TLP5832 |
TLP5832(D4-TP,E |
TLP5832(TP,E |
|
Popis |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
|
Skladem |
50000 |
50000 |
50000 |
|
Stav produktu |
Aktivní |
Aktivní |
Aktivní |
|
Technika |
Optická spojka |
Optická spojka |
Optická spojka |
|
Počet kanálů |
1 |
1 |
1 |
|
Napětí – izolace |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
|
Přechodná imunita v běžném režimu (min) |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
20 kV/μs |
|
Zpoždění propagace tpLH / tpHL (Max) |
200 ns, 200 ns |
200 ns, 200 ns |
200 ns, 200 ns |
|
Zkreslení šířky pulzu (Max) |
50ns |
50ns |
50ns |
|
Proud - Output High, Low |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
2.5A, 2.5A |
|
Proud - Špičkový výstup |
2.5A |
2.5A |
2.5A |
|
Napětí – vpřed (Vf) (typ) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
|
Proud – DC Forward (If) (Max) |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
|
Napětí - Výstupní napájení |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
15V ~ 30V |
|
Provozní teplota |
-40 stupeň ~ 110 stupňů |
-40 stupeň ~ 110 stupňů |
-40 stupeň ~ 110 stupňů |
|
Balíček / pouzdro |
WSOP8 (7,5x1,27) |
WSOP8 (7,5x1,27) |
WSOP8 (7,5x1,27) |
|
Balík |
Páska a cívka (TR) |
Páska a cívka (TR) |
Páska a cívka (TR) |
Aplikace:
• Průmyslové měniče
• Invertory klimatizace
• Indukční varná deska a domácí spotřebiče
• Ovladače brány MOSFET
• Ovladače brány IGBT
Všeobecné:
TLP5832 je fotočlen v 8-pinovém pouzdru SO8L, který se skládá z GaA ℓAs infračervené světlo emitující diody (LED) opticky spojené s integrovaným vysokorychlostním integrovaným čipem fotodetektoru s vysokým ziskem. Poskytuje garantovaný výkon a specifikace při teplotě až 110 stupňů.
TLP5832 je fyzicky menší/tenčí než v balení 8-pin DIP a vyhovuje mezinárodním bezpečnostním normám pro zesílenou izolaci. Poskytuje tak menší půdorysné řešení pro aplikace, které vyžadují certifikaci bezpečnostních standardů. Vnitřní šumový štít poskytuje zaručenou odolnost proti přechodovým jevům v běžném režimu ±20 kV/µs.
TLP5832 je ideální pro IGBT a výkonové pohony MOSFET brány malé až střední třídy.
Populární Tagy: tlp5832(tp,e, Čína tlp5832(tp,e výrobci, dodavatelé
Dvojice
TLP700AF(TP,FDalší
TLP5774(TP,EOdeslat dotaz
Mohlo by se Vám také líbit







