TLP155E(TPL,E)

TLP155E(TPL,E)

Díky špičkovému výstupnímu proudu ±{0}},6 A, zaručenému výkonu od -40 do 100 stupňů a nízkému prahovému vstupnímu proudu 7,5 mA zajišťuje spolehlivý a účinný přenos signálu.
Odeslat dotaz

Popis

Technické parametry

Brána optočlenu TLP155E vyniká svým výstupem totemu, kompaktním balením SO6 a působivými specifikacemi. Díky špičkovému výstupnímu proudu ±0,6 A, zaručenému výkonu od -40 do 100 stupňů a nízkému prahovému vstupnímu proudu 7,5 mA zajišťuje spolehlivý a účinný přenos signálu. Rychlá doba zpoždění šíření 200 ns ve spojení s minimální odolností proti přechodovým jevům v běžném režimu ±15 kV/μs zvýrazňuje jeho citlivost a robustnost v různých prostředích. Zařízení nabízí vysoké izolační napětí 3750 Vrms, splňující mezinárodní bezpečnostní normy (UL 1577, cUL) a certifikace (VDE, CQC). Jeho globální přijetí je dále podtrženo schválením norem, jako jsou EN 60747-5-5, EN 62368-1, GB4943.1 a GB8898. TLP155E v podstatě kombinuje pokročilé funkce, vysoce výkonné metriky a mezinárodní certifikace, což z něj dělá ideální volbu pro precizně řízené a bezpečnostně orientované aplikace.

product-1125-800

Související produkty:

Mfr Part

TLP155E

TLP155E(TPL,E(O

TLP155E(TPL,E)

TLP155E(TPR,E(O

Popis

OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ

OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ

OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ

OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ

Skladem

50000

50000

50000

50000

Stav produktu

Aktivní

Aktivní

Aktivní

Aktivní

Technika

Optická spojka

Optická spojka

Optická spojka

Optická spojka

Počet kanálů

1

1

1

1

Napětí – izolace

3750 Vrms

3750 Vrms

3750 Vrms

3750 Vrms

Přechodná imunita v běžném režimu (min)

15 kV/us

15 kV/us

15 kV/us

15 kV/us

Zpoždění propagace tpLH / tpHL (Max)

170 ns, 170 ns

170 ns, 170 ns

170 ns, 170 ns

170 ns, 170 ns

Zkreslení šířky pulzu (Max)

50ns

50ns

50ns

50ns

Proud - Output High, Low

400 mA, 400 mA

400 mA, 400 mA

400 mA, 400 mA

400 mA, 400 mA

Proud - Špičkový výstup

400 mA

400 mA

400 mA

400 mA

Napětí – vpřed (Vf) (typ)

1.55V

1.55V

1.55V

1.55V

Proud – DC Forward (If) (Max)

20 mA

20 mA

20 mA

20 mA

Napětí - Výstupní napájení

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

10V ~ 30V

Provozní teplota

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

-40-C ~ 100-C

Balíček / pouzdro

SOP5 (4,4 x 1,27)

SOP5 (4,4 x 1,27)

SOP5 (4,4 x 1,27)

SOP5 (4,4 x 1,27)

Balík

Páska a cívka (TR)

Páska a cívka (TR)

Páska a cívka (TR)

Páska a cívka (TR)

 

Aplikace:

 

Toshiba TLP155E se skládá z infračervených emitujících diod a integrovaných vysokorychlostních fotodetektorů s vysokým ziskem. TLP155E je umístěn v pouzdře SO6. Fotodetektor má vnitřní Faradayův štít, který poskytuje zaručenou odolnost proti přechodovým jevům v běžném režimu ±15 kV/μs. TLP155E je vhodný pro obvod přímého ovládání hradla pro IGBT nebo výkonové MOSFETy.

Populární Tagy: tlp155e(tpl,e), Čína tlp155e(tpl,e) výrobci, dodavatelé

Odeslat dotaz