
TLP155E(TPL,E)
Popis
Technické parametry
Brána optočlenu TLP155E vyniká svým výstupem totemu, kompaktním balením SO6 a působivými specifikacemi. Díky špičkovému výstupnímu proudu ±0,6 A, zaručenému výkonu od -40 do 100 stupňů a nízkému prahovému vstupnímu proudu 7,5 mA zajišťuje spolehlivý a účinný přenos signálu. Rychlá doba zpoždění šíření 200 ns ve spojení s minimální odolností proti přechodovým jevům v běžném režimu ±15 kV/μs zvýrazňuje jeho citlivost a robustnost v různých prostředích. Zařízení nabízí vysoké izolační napětí 3750 Vrms, splňující mezinárodní bezpečnostní normy (UL 1577, cUL) a certifikace (VDE, CQC). Jeho globální přijetí je dále podtrženo schválením norem, jako jsou EN 60747-5-5, EN 62368-1, GB4943.1 a GB8898. TLP155E v podstatě kombinuje pokročilé funkce, vysoce výkonné metriky a mezinárodní certifikace, což z něj dělá ideální volbu pro precizně řízené a bezpečnostně orientované aplikace.

Související produkty:
|
Mfr Part |
TLP155E |
TLP155E(TPL,E(O |
TLP155E(TPL,E) |
TLP155E(TPR,E(O |
|
Popis |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
OPTOISO IGBT MOSFET OVLADAČ |
|
Skladem |
50000 |
50000 |
50000 |
50000 |
|
Stav produktu |
Aktivní |
Aktivní |
Aktivní |
Aktivní |
|
Technika |
Optická spojka |
Optická spojka |
Optická spojka |
Optická spojka |
|
Počet kanálů |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
Napětí – izolace |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
3750 Vrms |
|
Přechodná imunita v běžném režimu (min) |
15 kV/us |
15 kV/us |
15 kV/us |
15 kV/us |
|
Zpoždění propagace tpLH / tpHL (Max) |
170 ns, 170 ns |
170 ns, 170 ns |
170 ns, 170 ns |
170 ns, 170 ns |
|
Zkreslení šířky pulzu (Max) |
50ns |
50ns |
50ns |
50ns |
|
Proud - Output High, Low |
400 mA, 400 mA |
400 mA, 400 mA |
400 mA, 400 mA |
400 mA, 400 mA |
|
Proud - Špičkový výstup |
400 mA |
400 mA |
400 mA |
400 mA |
|
Napětí – vpřed (Vf) (typ) |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
1.55V |
|
Proud – DC Forward (If) (Max) |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
20 mA |
|
Napětí - Výstupní napájení |
10V ~ 30V |
10V ~ 30V |
10V ~ 30V |
10V ~ 30V |
|
Provozní teplota |
-40-C ~ 100-C |
-40-C ~ 100-C |
-40-C ~ 100-C |
-40-C ~ 100-C |
|
Balíček / pouzdro |
SOP5 (4,4 x 1,27) |
SOP5 (4,4 x 1,27) |
SOP5 (4,4 x 1,27) |
SOP5 (4,4 x 1,27) |
|
Balík |
Páska a cívka (TR) |
Páska a cívka (TR) |
Páska a cívka (TR) |
Páska a cívka (TR) |
Aplikace:
Toshiba TLP155E se skládá z infračervených emitujících diod a integrovaných vysokorychlostních fotodetektorů s vysokým ziskem. TLP155E je umístěn v pouzdře SO6. Fotodetektor má vnitřní Faradayův štít, který poskytuje zaručenou odolnost proti přechodovým jevům v běžném režimu ±15 kV/μs. TLP155E je vhodný pro obvod přímého ovládání hradla pro IGBT nebo výkonové MOSFETy.
Populární Tagy: tlp155e(tpl,e), Čína tlp155e(tpl,e) výrobci, dodavatelé
Dvojice
TLP250H (D4,F)Další
TLP152(TPL,E)Odeslat dotaz
Mohlo by se Vám také líbit







